പതിറ്റാണ്ടുകളായി, ഓരോ തലമുറ കമ്പ്യൂട്ടർ ചിപ്പുകളും വേഗതയേറിയതും കൂടുതൽ power ർജ്ജക്ഷമതയുള്ളതുമായിത്തീർന്നു, കാരണം ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ എന്ന് വിളിക്കപ്പെടുന്ന അവയുടെ അടിസ്ഥാന നിർമ്മാണ ബ്ലോക്കുകൾ ചെറുതായി.

ഈ മെച്ചപ്പെടുത്തലുകളുടെ വേഗത കുറഞ്ഞു, എന്നാൽ സിലിക്കണിന് കുറഞ്ഞത് ഒരു തലമുറയുടെ മുന്നേറ്റമെങ്കിലും ഉണ്ടെന്ന് ഇന്റർനാഷണൽ ബിസിനസ് മെഷീൻസ് കോർപ്പറേഷൻ (ഐബിഎംഎൻ) വ്യാഴാഴ്ച പറഞ്ഞു.

ലോകത്തിലെ ആദ്യത്തെ 2-നാനോമീറ്റർ ചിപ്പ് മേക്കിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയാണെന്ന് ഐബിഎം അവതരിപ്പിച്ചു. ഇന്നത്തെ പല ലാപ്‌ടോപ്പുകളിലും ഫോണുകളിലും മുഖ്യധാരാ 7-നാനോമീറ്റർ ചിപ്പുകളേക്കാൾ 45% വേഗതയും 75 ശതമാനം വരെ power ർജ്ജ കാര്യക്ഷമതയുമാണ് ഈ സാങ്കേതികവിദ്യയ്ക്കുള്ളതെന്ന് കമ്പനി അറിയിച്ചു.

സാങ്കേതികവിദ്യ വിപണിയിലെത്താൻ കുറച്ച് വർഷമെടുക്കും. ഒരു പ്രധാന ചിപ്പുകളുടെ നിർമ്മാതാവായിരുന്ന ഐ‌ബി‌എം ഇപ്പോൾ ഉയർന്ന അളവിലുള്ള ചിപ്പ് ഉൽ‌പാദനം സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് കോ ലിമിറ്റഡിന് (005930.കെഎസ്) പുറംജോലി ചെയ്യുന്നു, എന്നാൽ ന്യൂയോർക്കിലെ ആൽ‌ബാനിയിൽ ഒരു ചിപ്പ് നിർമ്മാണ ഗവേഷണ കേന്ദ്രം പരിപാലിക്കുന്നു, അത് ടെസ്റ്റ് റൺസ് ഉൽ‌പാദിപ്പിക്കുകയും സംയുക്ത സാങ്കേതിക വികസന ഡീലുകൾ‌ നടത്തുകയും ചെയ്യുന്നു. ഐ‌ബി‌എമ്മിന്റെ ചിപ്പ്‌മേക്കിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിക്കുന്നതിന് സാംസങും ഇന്റൽ കോർപ്പറേഷനും (INTC.O).