Durant dècades, cada generació de xips d’ordinador es va fer més ràpida i més eficient en termes de consum, ja que els seus components bàsics, anomenats transistors, es van reduir.

El ritme d’aquestes millores s’ha desaccelerat, però International Business Machines Corp (IBM.N) va dir dijous que el silici té almenys un avanç generacional més a la botiga.

IBM va presentar el que diu que és la primera tecnologia de fabricació de xips de 2 nanòmetres del món. La tecnologia podria ser fins a un 45% més ràpida que els xips principals de 7 nanòmetres en molts dels portàtils i telèfons actuals i fins a un 75% més eficient en energia, va dir la companyia.

La tecnologia trigarà alguns anys a sortir al mercat. Una vegada que era un important fabricant de xips, IBM subcontracta ara la seva producció de xips d’alt volum a Samsung Electronics Co Ltd (005930.KS), però manté un centre d’investigació de fabricació de xips a Albany, Nova York, que produeix proves de xips i té ofertes conjuntes de desenvolupament de tecnologia. amb Samsung i Intel Corp (INTC.O) per utilitzar la tecnologia de fabricació de xips d’IBM.